單項選擇題真空鍍膜室中的鐘罩與底盤構(gòu)成（）。
A.襯底加熱器
B.抽氣系統(tǒng)
C.真空室
D.蒸氣源加熱器
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1.單項選擇題（）由鐘罩、蒸氣源加熱器、襯底加熱器、活動擋板和底盤構(gòu)成。
A.真空鍍膜機
B.真空鍍膜室
C.真空鍍膜器
D.真空鍍膜儀
2.單項選擇題真空蒸發(fā)又被人們稱為（）。
A.真空沉積
B.真空鍍膜
C.真空外延
D.真空
3.多項選擇題按加熱源的不同，可以分成（）幾種不同類型的蒸發(fā)。
A.真空蒸發(fā)
B.離子束蒸發(fā)
C.電子束蒸發(fā)
D.粒子束蒸發(fā)
E.常壓蒸發(fā)
4.單項選擇題電子束蒸發(fā)的設備中產(chǎn)生電子束的裝置稱為（）。
A.電子源
B.電子泵
C.電子管
D.電子槍
5.單項選擇題用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。
A.重要步驟
B.次要步驟
C.首要步驟
D.不一定
最新試題
當需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時，一般使用（）。
題型：單項選擇題
利用高溫驅(qū)動雜質(zhì)滲透進半導體內(nèi)，此工序采用的設備是（）
題型：單項選擇題
分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時，判斷其造成原因有（）
題型：多項選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個特殊的部件是（）
題型：單項選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項選擇題
離子注入機掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）
題型：多項選擇題
回態(tài)源擴散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項選擇題
下列哪些是進行光刻前的預處理的步驟？（）
題型：多項選擇題
環(huán)境溫度的變化可影響硅片的涂膠均勻性，通常將環(huán)境溫度設定于（）。
題型：單項選擇題
鋁的電遷移可能導致的結(jié)果是（）
題型：多項選擇題