多項選擇題按加熱源的不同，可以分成（）幾種不同類型的蒸發(fā)。
A.真空蒸發(fā)
B.離子束蒸發(fā)
C.電子束蒸發(fā)
D.粒子束蒸發(fā)
E.常壓蒸發(fā)
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1.單項選擇題電子束蒸發(fā)的設備中產(chǎn)生電子束的裝置稱為（）。
A.電子源
B.電子泵
C.電子管
D.電子槍
2.單項選擇題用真空蒸發(fā)與濺射法在硅片或二氧化硅膜上涂敷金屬材料，是形成電極的（）。
A.重要步驟
B.次要步驟
C.首要步驟
D.不一定
3.多項選擇題為了滿足半導體器件對金屬材料的低電阻連接以及可靠的要求，金屬材料應該滿足（）。
A.低電阻率
B.易與p或n型硅形成歐姆接觸
C.可與硅或二氧化硅反應
D.易于光刻
E.便于進行鍵合
4.單項選擇題（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
5.單項選擇題（）是以物理的方法來進行薄膜沉積的一種技術。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
最新試題
鋁的電遷移可能導致的結(jié)果是（）
題型：多項選擇題
（）可以通過帶電粒子在盛場作用下做運動把粒子進行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：單項選擇題
以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）
題型：多項選擇題
在離子注入完成后，檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項選擇題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項選擇題
通常鉭、鈷、鎳等難溶金屬應用于（）
題型：單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項選擇題
假設光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項選擇題
說明功能檢測工裝的制作原理？
題型：問答題