多項(xiàng)選擇題通常情況下，我們改變工藝條件使刻蝕進(jìn)行中（）的刻蝕速率盡量低。
A.光刻膠
B.襯底
C.表面硅層
D.擴(kuò)散區(qū)
E.源漏區(qū)
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1.單項(xiàng)選擇題（）是測量在刻蝕過程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。
A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時(shí)間
2.單項(xiàng)選擇題電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子
3.單項(xiàng)選擇題由于干法刻蝕中是同時(shí)對晶片上的光刻膠及裸露出來的薄膜進(jìn)行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來得差。
A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性
4.單項(xiàng)選擇題刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水
5.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。
A.MOS柵極
B.保護(hù)性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲(chǔ)器PROM
E.晶圓背面電鍍
最新試題
光刻膠對人部分可見光敏感，但對（）光不敏感。
題型：單項(xiàng)選擇題
兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在顯影過程中，對于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
敘述測試晶體管的方法？
題型：問答題
試說明ICT測試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？
題型：問答題
下列哪些是進(jìn)行光刻前的預(yù)處理的步驟？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：單項(xiàng)選擇題