單項(xiàng)選擇題在顯影過程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
A.顯影液可以使用丁酮
B.顯影液可以使用甲苯
C.顯影液可以使用丙酮
D.顯液可以使用甲基異丁基酮和異丙醇的1：1混合液
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1.單項(xiàng)選擇題當(dāng)需要刻蝕的圖形尺寸大于3um時(shí)，一般使用（）。
A.濕法刻蝕
B.濺射刻蝕
C.等離子體刻蝕
D.反應(yīng)離子刻蝕
2.單項(xiàng)選擇題兼具有各向異性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)，又有可接受的選擇比的刻蝕方法是（）。
A.濕法刻蝕
B.濺射刻蝕
C.等離子體刻蝕
D.反應(yīng)離子刻蝕
3.單項(xiàng)選擇題假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
A.5200
B.1200
C.9200
D.8000
4.單項(xiàng)選擇題通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
A.發(fā)射光譜法
B.干涉測(cè)量法
C.質(zhì)譜分析法
D.橢圓偏振發(fā)
5.單項(xiàng)選擇題刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
A.70～100℃
B.130～150℃
C.150～170℃
D.170～200℃
最新試題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)曝光模式，光制機(jī)的種類分為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
解決金屬鋁與襯底之間肖特基接觸的方法有（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在顯影過程中，對(duì)于正性抗蝕劑，顯影液的使用要求是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
利用高溫驅(qū)動(dòng)雜質(zhì)滲透進(jìn)半導(dǎo)體內(nèi)，此工序采用的設(shè)備是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
一般情況下，刻蝕完成后需要進(jìn)行的操作是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題