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單項(xiàng)選擇題

由于干法刻蝕中是同時(shí)對(duì)晶片上的光刻膠及裸露出來(lái)的薄膜進(jìn)行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來(lái)得差。

A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性

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單項(xiàng)選擇題

刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒(méi)有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水

多項(xiàng)選擇題

在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。

A.MOS柵極
B.保護(hù)性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲(chǔ)器PROM
E.晶圓背面電鍍