單項選擇題刻蝕是把進行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒有被（）覆蓋及保護的部分，以化學作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水


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1.多項選擇題在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。

A.MOS柵極
B.保護性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲器PROM
E.晶圓背面電鍍

2.多項選擇題銅與鋁相比較，其性質(zhì)有（）。

A.銅的電阻率比鋁小
B.鋁的熔點較高
C.鋁的抗電遷移能力較弱
D.銅與硅的接觸電阻較小
E.銅可以在低溫下淀積

3.多項選擇題屬于鋁的性質(zhì)有（）。

A.電阻低
B.抗電遷移特性好
C.對硅氧化物有很好的黏合性
D.有很高的純度
E.易于光刻

4.單項選擇題下列材料中電阻率最低的是（）。

A.鋁
B.銅
C.多晶硅
D.金

5.多項選擇題在半導(dǎo)體工藝中，與氮化硅比較，二氧化硅更適合應(yīng)用在（）。

A.晶圓頂層的保護層
B.多層金屬的介質(zhì)層
C.多晶硅與金屬之間的絕緣層
D.摻雜阻擋層
E.晶圓片上器件之間的隔離