單項(xiàng)選擇題（）是測(cè)量在刻蝕過(guò)程中物質(zhì)被移除的速率有多快的一種參數(shù)。
A.刻蝕速率
B.刻蝕深度
C.移除速率
D.刻蝕時(shí)間
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1.單項(xiàng)選擇題電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。
A.離子
B.原子團(tuán)
C.電子
D.帶電粒子
2.單項(xiàng)選擇題由于干法刻蝕中是同時(shí)對(duì)晶片上的光刻膠及裸露出來(lái)的薄膜進(jìn)行刻蝕的，所以其（）就比以化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行刻蝕的濕法還來(lái)得差。
A.刻蝕速率
B.選擇性
C.各向同性
D.各向異性
3.單項(xiàng)選擇題刻蝕是把進(jìn)行光刻前所沉積的薄膜厚度約在數(shù)千到數(shù)百A之間中沒(méi)有被（）覆蓋及保護(hù)的部分，以化學(xué)作用或是物理作用的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移掩膜圖案到薄膜上面的目的。
A.二氧化硅
B.氮化硅
C.光刻膠
D.去離子水
4.多項(xiàng)選擇題在半導(dǎo)體制造中，熔斷絲可以應(yīng)用在（）。
A.MOS柵極
B.保護(hù)性元件
C.電容器極板
D.制造只讀存儲(chǔ)器PROM
E.晶圓背面電鍍
5.多項(xiàng)選擇題銅與鋁相比較，其性質(zhì)有（）。
A.銅的電阻率比鋁小
B.鋁的熔點(diǎn)較高
C.鋁的抗電遷移能力較弱
D.銅與硅的接觸電阻較小
E.銅可以在低溫下淀積
最新試題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
說(shuō)明功能檢測(cè)工裝的制作原理？
題型：?jiǎn)柎痤}
鋁的電遷移可能導(dǎo)致的結(jié)果是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
（）可以通過(guò)帶電粒子在盛場(chǎng)作用下做運(yùn)動(dòng)把粒子進(jìn)行篩選，挑選出唯一需要注入的離子。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
敘述測(cè)試晶體管的方法？
題型：?jiǎn)柎痤}
試說(shuō)明ICT測(cè)試電阻器阻值的原理？為什么要加隔離點(diǎn)？
題型：?jiǎn)柎痤}
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問(wèn)題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
電子束蒸發(fā)中有一個(gè)特殊的部件是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題