多項選擇題最常用的砷化橡的濕法刻蝕腐蝕液包括()
A.硫酸
B.氫氟酸
C.雙氧水
D.去離子水
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1.多項選擇題回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
A.硼酸三甲酯
B.氮化硼
C.硼
D.磷微晶玻璃片
2.多項選擇題在離子注入完成后,檢驗到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況,該情況引起的主要問題有()
A.在局部阻擋摻雜
B.對器件結(jié)構(gòu)造成連接或短路
C.對微小器件結(jié)構(gòu)造成溝型損傷
D.整片硅片報廢
3.多項選擇題分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù),在檢驗時發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時,判斷其造成原因有()
A.快速熱退火及升溫速度和保持時間是否準(zhǔn)確
B.檢查是否有溝道效應(yīng)
C.檢查注入能量系統(tǒng)
D.檢查注入速度和時間是否準(zhǔn)確
4.多項選擇題以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是()
A.劑量與束流密度
B.射程與注入能量
C.注入角度
D.晶圓
5.多項選擇題下列可能造成離子源沾污的因素是()
A.離子源是否被沾污
B.真空系統(tǒng)是否漏氣
C.原材料是否滿足純度要求
D.光刻膠的堿性元素沾污
最新試題
()可以通過帶電粒子在盛場作用下做運(yùn)動把粒子進(jìn)行篩選,挑選出唯一需要注入的離子。
題型:單項選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有()
題型:多項選擇題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測方法是()
題型:單項選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時,可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕,此時的溫度一般設(shè)置在()
題型:單項選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃,二氧化硅的厚度為4000塊,如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后,厚度變?yōu)?400埃,那么這個過程中刻蝕速率是()埃/分鐘。
題型:單項選擇題
最常用的砷化鎵的濕法刻蝕腐蝕液包括()
題型:多項選擇題
刻蝕的過程中,對刻蝕的要求是()
題型:多項選擇題
離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中,采用的掃描方式有()
題型:多項選擇題
回態(tài)源擴(kuò)散的雜質(zhì)源有()
題型:多項選擇題
敘述測試晶體管的方法?
題型:問答題