單項(xiàng)選擇題對(duì)于濃度覆蓋很寬的雜質(zhì)原子，可以采用（）方法引入到硅片中。
A.離子注入
B.濺射
C.淀積
D.擴(kuò)散
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1.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝現(xiàn)在廣泛應(yīng)用于制作（）。
A.晶振
B.電容
C.電感
D.PN結(jié)
2.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來制作（）。
A.埋層
B.外延
C.PN結(jié)
D.擴(kuò)散電阻
E.隔離區(qū)
3.多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（），所以晶片才能被人們所使用。
A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布
B.表面的雜質(zhì)分布
C.整個(gè)晶體的雜質(zhì)分布
D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型
E.表面的導(dǎo)電類型
4.多項(xiàng)選擇題二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法有（）。
A.比色法
B.雙光干涉法
C.橢圓偏振光法
D.腐蝕法
E.電容-電壓法
5.多項(xiàng)選擇題二氧化硅膜的質(zhì)量要求有（）。
A.薄膜表面無斑點(diǎn)
B.薄膜中的帶電離子含量符合要求
C.薄膜表面無針孔
D.薄膜的厚度達(dá)到規(guī)定指標(biāo)
E.薄膜厚度均勻，結(jié)構(gòu)致密
最新試題
通過分析刻蝕前后刻蝕腔內(nèi)的成分來判斷是否達(dá)到終點(diǎn)的終點(diǎn)檢測(cè)方法是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕氮化硅薄膜時(shí)，可以用加熱的磷酸進(jìn)行刻蝕，此時(shí)的溫度一般設(shè)置在（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列可能造成離子源沾污的因素是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
以下屬于刻蝕環(huán)節(jié)質(zhì)量要求的是（）
題型：多項(xiàng)選擇題
堅(jiān)膜烘焙在加熱平板上進(jìn)行，溫度控制在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
假設(shè)光刻膠的厚度是2000埃，二氧化硅的厚度為4000塊，如果要求經(jīng)過30秒的刻蝕后，厚度變?yōu)?400埃，那么這個(gè)過程中刻蝕速率是（）埃/分鐘。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
影響顯影工藝的因素有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬薄膜制備中常見的濺射方式有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）
題型：多項(xiàng)選擇題