多項(xiàng)選擇題在離子注入完成后，檢驗(yàn)到硅片表面有顆粒污染嚴(yán)重的情況，該情況引起的主要問題有（）

A.在局部阻擋摻雜
B.對器件結(jié)構(gòu)造成連接或短路
C.對微小器件結(jié)構(gòu)造成溝型損傷
D.整片硅片報(bào)廢


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1.多項(xiàng)選擇題分結(jié)深是重要的結(jié)構(gòu)參數(shù)，在檢驗(yàn)時(shí)發(fā)現(xiàn)超淺結(jié)注入時(shí)，判斷其造成原因有（）

A.快速熱退火及升溫速度和保持時(shí)間是否準(zhǔn)確
B.檢查是否有溝道效應(yīng)
C.檢查注入能量系統(tǒng)
D.檢查注入速度和時(shí)間是否準(zhǔn)確

2.多項(xiàng)選擇題以下是離子注入過程中的主要參數(shù)的是（）

A.劑量與束流密度
B.射程與注入能量
C.注入角度
D.晶圓

3.多項(xiàng)選擇題下列可能造成離子源沾污的因素是（）

A.離子源是否被沾污
B.真空系統(tǒng)是否漏氣
C.原材料是否滿足純度要求
D.光刻膠的堿性元素沾污

4.多項(xiàng)選擇題離子注入機(jī)掃描系統(tǒng)中，采用的掃描方式有（）

A.靜電掃描
B.機(jī)械掃描
C.混合掃描
D.平行掃描

5.多項(xiàng)選擇題傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（）

A.反刻法
B.高溫回流法
C.旋涂玻璃法
D.化學(xué)機(jī)械拋光法