多項(xiàng)選擇題擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（），所以晶片才能被人們所使用。

A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布
B.表面的雜質(zhì)分布
C.整個(gè)晶體的雜質(zhì)分布
D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型
E.表面的導(dǎo)電類型


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1.多項(xiàng)選擇題二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法有（）。

A.比色法
B.雙光干涉法
C.橢圓偏振光法
D.腐蝕法
E.電容-電壓法

2.多項(xiàng)選擇題二氧化硅膜的質(zhì)量要求有（）。

A.薄膜表面無(wú)斑點(diǎn)
B.薄膜中的帶電離子含量符合要求
C.薄膜表面無(wú)針孔
D.薄膜的厚度達(dá)到規(guī)定指標(biāo)
E.薄膜厚度均勻，結(jié)構(gòu)致密

3.多項(xiàng)選擇題解決氧化層中的鈉離子沾污的方法有（）。

A.加強(qiáng)工藝操作
B.加強(qiáng)人體和環(huán)境衛(wèi)生
C.使用高純化學(xué)試劑、高純水和超凈設(shè)備
D.采用HCl氧化工藝
E.硅片清洗后，要充分烘干，表面無(wú)水跡

4.多項(xiàng)選擇題二氧化硅層中的鈉離子可能來(lái)源于（）。

A.玻璃器皿
B.高溫器材
C.人體沾污
D.化學(xué)試劑
E.去離子水

5.單項(xiàng)選擇題鈉、鉀等大離子在二氧化硅結(jié)構(gòu)中是（）雜質(zhì)。

A.替位式
B.間隙式
C.施主
D.可能是替位式也可能是間隙式