多項(xiàng)選擇題

擴(kuò)散工藝在現(xiàn)在集成電路工藝中仍然是是一項(xiàng)重要的集成電路工藝，現(xiàn)在主要被用來制作（）。

A.埋層
B.外延
C.PN結(jié)
D.擴(kuò)散電阻
E.隔離區(qū)

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多項(xiàng)選擇題

擴(kuò)散工藝使雜質(zhì)由半導(dǎo)體晶片表面向內(nèi)部擴(kuò)散，改變了晶片（），所以晶片才能被人們所使用。

A.內(nèi)部的雜質(zhì)分布
B.表面的雜質(zhì)分布
C.整個(gè)晶體的雜質(zhì)分布
D.內(nèi)部的導(dǎo)電類型
E.表面的導(dǎo)電類型

多項(xiàng)選擇題

二氧化硅薄膜厚度的測(cè)量方法有（）。

A.比色法
B.雙光干涉法
C.橢圓偏振光法
D.腐蝕法
E.電容-電壓法