問答題設(shè)電子和空穴的遷移率分別為1350cm2/V·S和500cm2/V·S，試計算本征硅在300K下的電導(dǎo)率。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，計算其電導(dǎo)率，并將其與本征硅的電導(dǎo)率進行比較。
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