問答題

【計算題】設(shè)電子和空穴的遷移率分別為1350cm²/V·S和500cm²/V·S，試計算本征硅在300K下的電導率。當摻入百萬分之一的砷后，設(shè)雜質(zhì)全部電離，計算其電導率，并將其與本征硅的電導率進行比較。

答案：

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【計算題】室溫下鍺的本征電阻率為47Ω·cm，如果電子和空穴的遷移率分別為3900cm²/V·S和1900cm²/V·S，試求本征鍺的載流子濃度。

答案：

【計算題】計算施主摻雜濃度ND=9×10¹⁵cm^-3及受主摻雜濃度NA=1.1×10¹⁶cm^-3的硅在室溫下的電子濃度和空穴濃度以及費米能級的位置。

答案：

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