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問答題
【計(jì)算題】摻硼1.1×10
16
cm
-3
和磷9×10
15
cm
-3
的硅樣品,計(jì)算室溫下多子濃度和少子濃度。如果電子遷移率μ
n
=1000cm
2
/v·s,空穴遷移率μ
p
=360cm
2
/v·s,求電阻率。
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問答題
【計(jì)算題】設(shè)電子和空穴的遷移率分別為1350cm
2
/V·S和500cm
2
/V·S,試計(jì)算本征硅在300K下的電導(dǎo)率。當(dāng)摻入百萬分之一的砷后,設(shè)雜質(zhì)全部電離,計(jì)算其電導(dǎo)率,并將其與本征硅的電導(dǎo)率進(jìn)行比較。
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問答題
【計(jì)算題】室溫下鍺的本征電阻率為47Ω·cm,如果電子和空穴的遷移率分別為3900cm
2
/V·S和1900cm
2
/V·S,試求本征鍺的載流子濃度。
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