問(wèn)答題某半導(dǎo)體材料的少子壽命τ=20μs，光照產(chǎn)生了非平衡載流子，試求光照突然停止10μs后，非平衡載流子將衰減到原來(lái)的百分之幾？
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2.問(wèn)答題
473K時(shí)硅的
求本征硅的電阻率ρi。
3.問(wèn)答題摻硼1.1×1016cm-3和磷9×1015cm-3的硅樣品，計(jì)算室溫下多子濃度和少子濃度。如果電子遷移率μn=1000cm2/v·s，空穴遷移率μp=360cm2/v·s，求電阻率。
最新試題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開(kāi)始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱(chēng)為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
刻蝕過(guò)程中聚合物形成的來(lái)源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管是未來(lái)晶體管發(fā)展趨勢(shì)之一。
題型：判斷題