問(wèn)答題常見晶體生長(zhǎng)的方法有哪些，說(shuō)明直拉法的工作過(guò)程，對(duì)比直拉法和區(qū)熔法的優(yōu)缺點(diǎn)
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最新試題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
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新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）
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CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。
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進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
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光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
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下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題