你可能感興趣的試題

問答題
【簡答題】說出摻雜半導(dǎo)體的兩種特性
答案：①通過摻雜濃度精確控制電阻率
②通過摻雜元素的選擇控制導(dǎo)電類型（電子N型或空穴P型導(dǎo)電）
摻雜半導(dǎo)體...
問答題
【簡答題】列出三類晶體缺陷并說明其形成的原因
答案：①點缺陷：晶體雜志原子擠壓晶體結(jié)構(gòu)引起的壓力所致
②位錯：晶體生長條件、晶體內(nèi)的晶格應(yīng)力、制造過程中的物理損壞...
問答題
【簡答題】說明工藝及產(chǎn)品趨勢
答案：
問答題
【簡答題】簡述微電子工藝的特點
答案：①高技術(shù)含量：設(shè)備先進(jìn)、技術(shù)先進(jìn)
②高精度：光刻圖形的最小線條尺寸在亞微米量級，制備的介質(zhì)薄膜厚度也在納米量級...
問答題
【簡答題】解釋集成度的概念并根據(jù)集成度將集成電路分類
答案：
問答題
【簡答題】簡述制造半導(dǎo)體器件的四個階段
答案：
①材料準(zhǔn)備
②晶體生長與晶圓準(zhǔn)備
③芯片制造
④封裝
問答題
【簡答題】列舉出幾種pn結(jié)的形成方法并說出平面工藝的特點
答案：
問答題
【簡答題】描述分立器件和集成電路的區(qū)別
答案：①分立器件：是由二極管、三極管等獨立的元器件組成的，一般只能完成單一功能，體積龐大。
②集成電路：把由若干個晶...
問答題
【簡答題】解釋說明自對準(zhǔn)柵工藝流程，為什么當(dāng)圖形化尺寸小到0.18um時，使用鈷硅化物取代鈦硅化物？為什么當(dāng)圖形化尺寸小到65nm時，使用鎳硅化物取代鈷硅化物？
答案：
問答題
【簡答題】簡述CMOS IC工藝中的三種阱區(qū)形成工藝
答案：高能量、低電流的離子注入；加熱退火/擴(kuò)散工藝；自對準(zhǔn)雙阱工藝。

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【簡答題】列出三種主要的半導(dǎo)體材料、比較其優(yōu)缺點

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【簡答題】簡述制造半導(dǎo)體器件的四個階段

【簡答題】列舉出幾種pn結(jié)的形成方法并說出平面工藝的特點

【簡答題】描述分立器件和集成電路的區(qū)別

【簡答題】解釋說明自對準(zhǔn)柵工藝流程，為什么當(dāng)圖形化尺寸小到0.18um時，使用鈷硅化物取代鈦硅化物？為什么當(dāng)圖形化尺寸小到65nm時，使用鎳硅化物取代鈷硅化物？

【簡答題】簡述CMOS IC工藝中的三種阱區(qū)形成工藝

【簡答題】列出三種主要的半導(dǎo)體材料、比較其優(yōu)缺點

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【簡答題】簡述微電子工藝的特點

【簡答題】解釋集成度的概念并根據(jù)集成度將集成電路分類

【簡答題】簡述制造半導(dǎo)體器件的四個階段

【簡答題】列舉出幾種pn結(jié)的形成方法并說出平面工藝的特點

【簡答題】描述分立器件和集成電路的區(qū)別

【簡答題】解釋說明自對準(zhǔn)柵工藝流程，為什么當(dāng)圖形化尺寸小到0.18um時，使用鈷硅化物取代鈦硅化物？為什么當(dāng)圖形化尺寸小到65nm時，使用鎳硅化物取代鈷硅化物？

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