集成電路制造工藝員（三級）單項選擇題每日一練(2019.01.23)

來源：考試資料網(wǎng)

1 電離氣體與普通氣體的不同之處在于：后者是由電中性的分子或原子組成的，前者則是（）和中性粒子組成的集合體。

2 （）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。

3 薄膜沉積的機構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個步驟。其中不包括（）。

4 晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時對它的刻蝕要盡可能的小。

5 固體中的擴散模型主要有填隙機制和（）。