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單項(xiàng)選擇題薄膜沉積的機(jī)構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個步驟。其中不包括（）。

A.形成晶核
B.晶粒自旋
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)

1.單項(xiàng)選擇題硅晶片上之所以可以產(chǎn)生薄膜，出始于布滿在晶片表面的許多氣體分子或其它粒子，它們主要是通過（）到達(dá)晶片表面的。

A.粒子的擴(kuò)散
B.化學(xué)反應(yīng)
C.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對流傳送
D.被表面吸附

2.單項(xiàng)選擇題決定吸附原子彼此間能否形成一個穩(wěn)定的核團(tuán)，以便于進(jìn)行凝結(jié)的主要因素主宰于所形成的核團(tuán)是否（）而定。

A.動能最低
B.穩(wěn)定
C.運(yùn)動
D.靜止

3.單項(xiàng)選擇題（）是因?yàn)槲皆釉诰砻嫔媳舜伺鲎膊⒔Y(jié)合所形成的。

A.晶核
B.晶粒
C.核心
D.核團(tuán)

4.單項(xiàng)選擇題（）主要是以化學(xué)反應(yīng)方式來進(jìn)行薄膜沉積的。

A.PVD
B.CVD
C.濺射
D.蒸發(fā)

5.單項(xiàng)選擇題化學(xué)氣相沉積的英文名稱的縮寫為（）。

A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD