單項(xiàng)選擇題（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來進(jìn)行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
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1.單項(xiàng)選擇題（）是以物理的方法來進(jìn)行薄膜沉積的一種技術(shù)。
A.LPCVD
B.PECVD
C.CVD
D.PVD
2.單項(xiàng)選擇題物理氣相沉積簡稱（）。
A.LVD
B.PED
C.CVD
D.PVD
3.多項(xiàng)選擇題薄膜沉積的機(jī)構(gòu)包括那些步驟（）。
A.形成晶核
B.晶粒成長
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)
E.沉積膜成長
4.多項(xiàng)選擇題晶片表面上的粒子是通過（）到達(dá)晶片的表面。
A.粒子擴(kuò)散
B.從氣體源通過強(qiáng)迫性的對(duì)流傳送
C.化學(xué)反應(yīng)
D.被表面吸附
E.靜電吸引
5.單項(xiàng)選擇題薄膜沉積的機(jī)構(gòu)，依發(fā)生的順序，可以分為這幾個(gè)步驟。其中不包括（）。
A.形成晶核
B.晶粒自旋
C.晶粒凝結(jié)
D.縫道填補(bǔ)
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