^{<meter id="gunqu"></meter>}

<label id="gunqu"></label>

<track id="gunqu"></track>^{<meter id="gunqu"></meter>}

<button id="gunqu"></button>

單項(xiàng)選擇題

晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)二氧化硅的高選擇性。超薄的（）使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)它的刻蝕要盡可能的小。

A.n型摻雜區(qū)
B.P型摻雜區(qū)
C.柵氧化層
D.場(chǎng)氧化層

你可能感興趣的試題

單項(xiàng)選擇題

多晶硅柵極刻蝕最大的挑戰(zhàn)就是對(duì)（）的高選擇性。超薄的柵氧化層使得在刻蝕多晶硅電極時(shí)對(duì)柵氧化層的刻蝕要盡可能的小。

A.二氧化硅
B.氮化硅
C.單晶硅
D.多晶硅

單項(xiàng)選擇題

請(qǐng)?jiān)谙铝羞x項(xiàng)中選出多晶硅化金屬的英文簡(jiǎn)稱(chēng)：（）。

A.Oxide
B.Nitride
C.Silicide
D.Polycide

<table id="dlpoc"><legend id="dlpoc"><ins id="dlpoc"></ins></legend></table>

<strong id="dlpoc"><tbody id="dlpoc"><dl id="dlpoc"></dl></tbody></strong>