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每日一練
章節(jié)練習
集成電路制造工藝員(三級)單項選擇題每日一練(2019.01.22)
來源:考試資料網(wǎng)
1
在各種離子源常用的放電方式中,EOS是指有()。
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2
離子從進入靶起到停止點所通過的總路程稱作()。
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3
表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度,習慣上常用()。
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4
()是通過把被蒸物體加熱,利用被蒸物在高溫時的飽和蒸汽壓來進行薄膜沉積的。
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5
涂膠以后的晶片,需要在一定的溫度下進行烘烤,這一步驟稱為()。
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