集成電路制造工藝員（三級(jí)）單項(xiàng)選擇題每日一練(2019.01.22)

單項(xiàng)選擇題
在各種離子源常用的放電方式中，EOS是指有（）。
A.電子振蕩放電
B.離子自動(dòng)放電
C.低電壓弧光放電
D.雙等離子電弧放電
單項(xiàng)選擇題
離子從進(jìn)入靶起到停止點(diǎn)所通過的總路程稱作（）。
A.離子距離
B.靶厚
C.射程
D.注入深度
單項(xiàng)選擇題
表示雜質(zhì)在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質(zhì)和程度，習(xí)慣上常用（）。
A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴(kuò)散系數(shù)
單項(xiàng)選擇題
（）是通過把被蒸物體加熱，利用被蒸物在高溫時(shí)的飽和蒸汽壓來進(jìn)行薄膜沉積的。
A.蒸鍍
B.濺射
C.離子注入
D.CVD
單項(xiàng)選擇題
涂膠以后的晶片，需要在一定的溫度下進(jìn)行烘烤，這一步驟稱為（）。
A.后烘
B.去水烘烤
C.軟烤
D.烘烤