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單項選擇題

表示雜質在硅-二氧化硅界面處重新分布的性質和程度，習慣上常用（）。

A.分凝度
B.固溶度
C.分凝系數(shù)
D.擴散系數(shù)

你可能感興趣的試題

多項選擇題

（）的方法有利于減少熱預算。

A.高壓氧化
B.濕氧氧化
C.摻氯氧化
D.氫氧合成氧化
E.等離子增強氧化

單項選擇題

當熱氧化的最初階段，（）為限制反應速率的主要原因。

A.溫度
B.硅-二氧化硅界面處的化學反應
C.氧的擴散速率
D.壓力