<progress id="lufms"><menuitem id="lufms"><nobr id="lufms"></nobr></menuitem></progress>

<td id="lufms"><listing id="lufms"><var id="lufms"></var></listing></td>

<rp id="lufms"><track id="lufms"><object id="lufms"></object></track></rp>

問答題

【簡答題】如果熱生長氧化層厚度為2000A，那么Si消耗多少？

答案： 920A（每生長1000A的氧化物，就有460A的硅被消耗）

你可能感興趣的試題

【簡答題】列出熱氧化物的硅片制造的六種用途，并給出各種用途的目的。

答案：金屬層間絕緣阻擋層：用做金屬連線間的保護(hù)層。
注入屏蔽氧化層：用于減小注入夠到和損傷。
勢氧化層：做...

【簡答題】為什么刪氧要用熱生長？

答案：因?yàn)闁叛跖c其下的Si具有高質(zhì)量和穩(wěn)定性的特點(diǎn)，柵氧一般通過熱生長獲得。

<strong id="sbezr"><sup id="sbezr"></sup></strong>