下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）