問(wèn)答題半導(dǎo)體工藝中常用的三種CVD反應(yīng)器類型
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1.名詞解釋過(guò)刻蝕
2.名詞解釋負(fù)載效應(yīng)
3.問(wèn)答題簡(jiǎn)述IC芯片工藝過(guò)程中包括的刻蝕工藝過(guò)程
4.名詞解釋通道效應(yīng)
5.問(wèn)答題簡(jiǎn)述離子注入設(shè)備的主要組成部分
最新試題
鳥(niǎo)嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無(wú)各種廢品。
題型：判斷題
光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
常壓的硅外延方法有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CE定律發(fā)展面臨的問(wèn)題包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題