半導體芯片制造工章節(jié)練習(2019.06.25)

來源：考試資料網

1.問答題影響外延薄膜的生長速度的因素有哪些？

參考答案：1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長速率對溫度的變化不敏感，生長速率由氣相質量輸運控制，并且對反應室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...

2.問答題集成電容主要有哪幾種結構？

①金屬-絕緣體-金屬（MIM）結構；
②多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結構；
③金屬叉指結構；
④PN結電容；
⑤MOS電容。

3.填空題在一個晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時將各塊集成電路切開時的切口叫（）。

4.判斷題光刻工藝要求掩膜版圖形黑白區(qū)域之間的反差要低。（）

5.問答題 Si-SiO₂界面電荷有哪幾種？簡述其來源及處理辦法。

參考答案：可動離子電荷Q_m來源：主要來源于Na+等網絡改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過程...

6.判斷題在半導體中摻金是為了使非平衡載流子的壽命增加。（）

7.問答題簡述RTP設備的工作原理，相對于傳統(tǒng)高溫爐管它有什么優(yōu)勢？

參考答案：RTP工藝是一類單片熱處理工藝，其目的是通過縮短熱處理時間和溫度或只縮短熱處理時間來獲得最小的工藝熱預算（Thermal...

8.判斷題絲網印刷膜的厚度不隨著刮板移動速度的增加而減小。（）

9.問答題什么是擴散效應？什么是自摻雜效應？這兩個效應使得襯底/外延界面雜質分布有怎樣的變化？

參考答案：擴散效應是指襯底中的雜質與外延層中的雜質，在外延生長時互相擴散，引起襯底與外延層界面附近雜質濃度的緩慢變化。擴散效應對界...

10.問答題離子在靶內運動時，損失能量可分核阻滯和電子阻滯，解釋什么是核阻滯、電子阻滯？兩種阻滯本領與注入離子能量具有何關系？

參考答案：①碰撞注入離子與靶內原子核之間的相互碰撞。因注入離子與靶原子的質量一般為同一數量級，每次碰撞之后，注入離子都可能發(fā)生大角...