<acronym id="izgot"><strike id="izgot"></strike></acronym>

問(wèn)答題

【論述題】
Si-SiO₂界面電荷有哪幾種？簡(jiǎn)述其來(lái)源及處理辦法。

答案：可動(dòng)離子電荷Q_m來(lái)源：主要來(lái)源于Na+等網(wǎng)絡(luò)改變者。解決辦法：為了降低Na+的玷污，可以在工藝過(guò)程...

你可能感興趣的試題

問(wèn)答題

【簡(jiǎn)答題】
一片硅片由0.3um厚的SiO₂薄膜覆蓋。所需數(shù)據(jù)見(jiàn)下表，玻爾茲曼常數(shù)k=1.38×10^-23。（1）在1200℃下，采用H₂O氧化，使厚度增加0.5um需要多少時(shí)間？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同樣的厚度需要多少時(shí)間？

答案：

問(wèn)答題

【論述題】簡(jiǎn)述在熱氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO