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問(wèn)答題
【論述題】什么是擴(kuò)散效應(yīng)？什么是自摻雜效應(yīng)？這兩個(gè)效應(yīng)使得襯底/外延界面雜質(zhì)分布有怎樣的變化？
答案：
擴(kuò)散效應(yīng)是指襯底中的雜質(zhì)與外延層中的雜質(zhì)，在外延生長(zhǎng)時(shí)互相擴(kuò)散，引起襯底與外延層界面附近雜質(zhì)濃度的緩慢變化。擴(kuò)散效應(yīng)對(duì)界...
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問(wèn)答題
【論述題】
下圖為硅外延生長(zhǎng)速度對(duì)H2中SiCL4摩爾分量的函數(shù)曲線，試分析曲線走勢(shì)，并給出其變化的原因。
答案：
SiCL4濃度較小，SiCL4被氫還原析出硅原子的速度遠(yuǎn)小于被釋放出來(lái)的硅原...
問(wèn)答題
【論述題】影響外延薄膜的生長(zhǎng)速度的因素有哪些？
答案：
1）溫度高溫區(qū)B區(qū)，生長(zhǎng)速率對(duì)溫度的變化不敏感，生長(zhǎng)速率由氣相質(zhì)量輸運(yùn)控制，并且對(duì)反應(yīng)室的幾何形狀和氣流有很大的依賴性。...
