半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.05.12)
來源:考試資料網(wǎng)參考答案:邏輯單元符號庫;功能單元庫;拓?fù)鋯卧獛欤话鎴D單元庫
3.問答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?
參考答案:
晶向偏離度總厚度誤差,平衡度,翹曲度等
參考答案:1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散;
2、高電導(dǎo)率,低歐姆接觸電阻;
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力;...
2、高電導(dǎo)率,低歐姆接觸電阻;
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力;...
參考答案:存底的制備----硅氧化---生長埋層---外延生長---生長隔離區(qū)---生長基區(qū)---發(fā)射區(qū)及集電極接觸區(qū)生長---形...
參考答案:電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶
參考答案:如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的,而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì),則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m<l,且在SiO
參考答案:元素;化合物
