半導(dǎo)體芯片制造工章節(jié)練習(xí)(2019.05.12)

來源：考試資料網(wǎng)

1.填空題對標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。

參考答案：邏輯單元符號庫；功能單元庫；拓?fù)鋯卧獛欤话鎴D單元庫

2.判斷題厚膜漿料屬于牛頓流體，因此其粘度屬于正常黏度。（）

3.問答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？

晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等

4.問答題簡述在芯片制造中對金屬電極材料有什么要求？

參考答案：1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散；
2、高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；
3、在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；...

5 離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。

6.問答題典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程？

參考答案：存底的制備----硅氧化---生長埋層---外延生長---生長隔離區(qū)---生長基區(qū)---發(fā)射區(qū)及集電極接觸區(qū)生長---形...

7.問答題常用濺射技術(shù)有哪幾種，簡述它們的工作原理和特點(diǎn)。

參考答案：直流濺射——惰性氣體，如氬，送入低壓下的濺射腔體，電壓加在電極上產(chǎn)生等離子體。加負(fù)直流電壓的的是...

8.填空題禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。

參考答案：電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶

9.問答題簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

參考答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO

10.填空題半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。

參考答案：元素；化合物