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A.36伏以下
B.50伏以下
C.24伏以下
A.“左零”“右火”
B.“左火”“右零”
A.電阻加熱
B.電子束
C.蒸氣原子
A.接觸
B.接近式
C.投影
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最新試題
片狀源擴(kuò)散具有設(shè)備簡(jiǎn)單,操作方便,晶片缺陷少,均勻性、重復(fù)性和表面質(zhì)量都較好,適于批量生產(chǎn),應(yīng)用越來(lái)越普遍。()
晶體的特點(diǎn)是在各不同晶向上的物理性能、機(jī)械性能、化學(xué)性能都相同。()
半導(dǎo)體芯片制造工藝對(duì)水質(zhì)的要求一般.()
集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)?
目前在半自動(dòng)化和自動(dòng)化的鍵合機(jī)上用的金絲或硅鋁絲都是經(jīng)生產(chǎn)廠家嚴(yán)格處理包裝后銷售,一般不能再退火,一經(jīng)退火反而壞了性能。()
遷移率是反映半導(dǎo)體中載流子導(dǎo)電能力的重要參數(shù)。摻雜半導(dǎo)體的電導(dǎo)率一方面取決于摻雜的濃度,另一方面取決于遷移率的大小。同樣的摻雜濃度,載流子的遷移率越大,材料的電導(dǎo)率就越高。()
雙極晶體管中只有一種載流子(電子或空穴)傳輸電流。()
金屬剝離工藝是以具有一定圖形的光致抗蝕劑膜為掩膜,帶膠蒸發(fā)或?yàn)R射所需的金屬,然后在去除光致抗蝕劑膜的同時(shí),把膠膜上的金屬一起去除干凈。()
在半導(dǎo)體集成電路中,各元器件都是制作在同一晶片內(nèi)。因此要使它們起著預(yù)定的作用而不互相影響,就必須使它們?cè)陔娦阅苌舷嗷ソ^緣。()
門陣列的基本結(jié)構(gòu)形式有兩種:一種是晶體管陣列,一種是門陣列()