問答題典型的GaAsMESFET結(jié)構(gòu)IC的工藝流程?
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最新試題
pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù),也是評價(jià)()的重要標(biāo)志。
題型:單項(xiàng)選擇題
簡述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性?
題型:問答題
半導(dǎo)體分立器件、集成電路對外殼的主要要求之一是:良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的(),使芯片的熱量有效地散逸出去,保證器件在正常結(jié)溫下工作。
題型:單項(xiàng)選擇題
恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱為()分布。
題型:單項(xiàng)選擇題
單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些?
題型:問答題
雙極晶體管的高頻參數(shù)是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為()半導(dǎo)體、()半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類。
題型:填空題
厚膜元件燒結(jié)時(shí),漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會使系統(tǒng)的自由能(),從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。
題型:單項(xiàng)選擇題
器件的橫向尺寸控制幾乎全由()來實(shí)現(xiàn)。
題型:單項(xiàng)選擇題
金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝,金屬作封裝底盤、管帽和引線,()做絕緣和密封。
題型:單項(xiàng)選擇題