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問答題

【論述題】簡述在熱氧化過程中雜質(zhì)再分布的四種可能情況。

答案：如果假設(shè)硅中的雜質(zhì)分布是均勻的，而且氧化氣氛中又不含有任何雜質(zhì)，則再分布有四種可能。①分凝系數(shù)m＜l，且在SiO

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答案： 1）氧化劑分壓因?yàn)槠胶馇闆r下，SiO₂中氧化劑的濃度C0=HPg，而拋物型速率常數(shù)B=2D

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答案：迪爾-格羅夫氧化模型可以很好地預(yù)測氧化層厚度，熱氧化過程主要分為以下三個過程：（1）氧化劑從氣體內(nèi)部以擴(kuò)散形式穿過滯留層...