問答題GaAs相對Si的優(yōu)點和缺點是什么？
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4.單項選擇題
化學(xué)氣相淀積SiO2與熱生長SiO2相比較，下面哪些說法是正確的：（）。
1.熱生長SiO2只能在Si襯底上生長；
2.CVD SiO2可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO2，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO2，溫度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
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如下哪個選項不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項選擇題
濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。
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進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
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刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項選擇題
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注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）
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光刻工藝的設(shè)備核心是（）。
題型：單項選擇題
消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。
題型：多項選擇題
IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。
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厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。
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