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問答題
【簡答題】什么是關(guān)鍵尺寸（CD）？
答案：芯片上的物理尺寸特征稱為特征尺寸，特別是硅片上的最小特征尺寸，也稱為關(guān)鍵尺寸或CD
填空題
干法刻蝕適用于（）（粗/細(xì)）線條。
答案：細(xì)
單項選擇題
化學(xué)氣相淀積SiO₂與熱生長SiO₂相比較，下面哪些說法是正確的：（）。
1.熱生長SiO₂只能在Si襯底上生長；
2.CVD SiO₂可以淀積在硅襯底上，也可以淀積在金屬、陶瓷、及其它半導(dǎo)體材料上；
3.CVD SiO₂，襯底硅不參加反應(yīng)；
4.CVD SiO₂，溫度低。
A.1、2
B.2、4
C.1、4
D.1、2、4
E.1、2、3、4
填空題
有限表面源擴散的雜質(zhì)分布服從（）分布。
答案：高斯
填空題
雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴散機構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機構(gòu)：替位式擴散和（）式擴散。
答案：間隙
填空題
入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和（）碰撞。
答案：電子
填空題
負(fù)膠適于刻蝕（）（細(xì)/粗）線條。
答案：粗
填空題
曝光后顯影時感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為（）（正/負(fù)）膠。
答案：負(fù)
判斷題
在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是表面反應(yīng)速率控制
答案：正確
單項選擇題
下面選項屬于主擴散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深
A.1
B.2
C.3
D.1、3

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【簡答題】簡述微芯片技術(shù)發(fā)展的主要趨勢

你可能感興趣的試題

【簡答題】什么是關(guān)鍵尺寸（CD）？

干法刻蝕適用于（）（粗/細(xì)）線條。

有限表面源擴散的雜質(zhì)分布服從（）分布。

雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴散機構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機構(gòu)：替位式擴散和（）式擴散。

入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和（）碰撞。

負(fù)膠適于刻蝕（）（細(xì)/粗）線條。

曝光后顯影時感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為（）（正/負(fù)）膠。

在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是表面反應(yīng)速率控制

下面選項屬于主擴散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深

【簡答題】簡述微芯片技術(shù)發(fā)展的主要趨勢

你可能感興趣的試題

【簡答題】什么是關(guān)鍵尺寸（CD）？

干法刻蝕適用于（）（粗/細(xì)）線條。

有限表面源擴散的雜質(zhì)分布服從（）分布。

雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴散機構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機構(gòu)：替位式擴散和（）式擴散。

入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和（）碰撞。

負(fù)膠適于刻蝕（）（細(xì)/粗）線條。

曝光后顯影時感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為（）（正/負(fù)）膠。

在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是表面反應(yīng)速率控制

下面選項屬于主擴散的作用有（）。 1.調(diào)節(jié)表面濃度 2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量 3.控制結(jié)深

【簡答題】什么是關(guān)鍵尺寸（CD）？

干法刻蝕適用于（）（粗/細(xì)）線條。

有限表面源擴散的雜質(zhì)分布服從（）分布。

雜質(zhì)原子（或離子）在半導(dǎo)體晶片中的擴散機構(gòu)比較復(fù)雜，但主要可分為兩種機構(gòu)：替位式擴散和（）式擴散。

入射離子的兩種能量損失模型為：核碰撞和（）碰撞。

負(fù)膠適于刻蝕（）（細(xì)/粗）線條。

曝光后顯影時感光的膠層沒有溶解，沒有感光的膠層溶解，這種膠為（）（正/負(fù)）膠。

在LPCVD中，由于hG>>kS，即質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù)遠(yuǎn)大于表面反應(yīng)速率常數(shù)，所以，LPCVD系統(tǒng)中，淀積過程主要是表面反應(yīng)速率控制

下面選項屬于主擴散的作用有（）。
1.調(diào)節(jié)表面濃度
2.控制進(jìn)入硅表面內(nèi)部的雜質(zhì)總量
3.控制結(jié)深