硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。