問答題CZ法提單晶的工藝流程。說明CZ法和FZ法。比較單晶硅錠CZ、MCZ和FZ三種生長方法的優(yōu)缺點(diǎn)。
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刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
影響封裝芯片特性的溫度有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）
題型：多項(xiàng)選擇題
金屬化中可選用的金屬材料有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）
題型：單項(xiàng)選擇題
摻雜后退火時(shí)間一般在（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下面哪個(gè)選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）
題型：單項(xiàng)選擇題