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問答題
【簡答題】CZ法提單晶的工藝流程。說明CZ法和FZ法。比較單晶硅錠CZ、MCZ和FZ三種生長方法的優(yōu)缺點(diǎn)。
答案：
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問答題
【簡答題】
縮寫中文含義
APCVD
HDPCVD
LPCVD
PECVD
PVD
BJT
CD
CMOS
CMP
MIC
ILD
MBE
SOI
DUV
MOCVD
BSG
PSG
BPSG
RTP
RTA
IC
LOCOS
STI
LI
VLSI
CA
FIB
ARC
ASIC
RIE
FIB
EUV
LDD
答案：
APCVD：常壓化學(xué)氣相淀積
HDPCVD：高密度等離子體化學(xué)氣相淀積
LPCVD：低壓化學(xué)氣相淀積...
HDPCVD：高密度等離子體化學(xué)氣相淀積
LPCVD：低壓化學(xué)氣相淀積...
問答題
【簡答題】為濺射做一個(gè)簡短的解釋，并描述它的工作方式？濺射適合于合金淀積嗎？濺射淀積的優(yōu)點(diǎn)是什么？
答案：
濺射是物理氣相淀積形式之一，是一種薄膜淀積技術(shù)。
工作方式：在濺射過程中，高能粒子撞擊具有高純度的靶材料固體平...
工作方式：在濺射過程中，高能粒子撞擊具有高純度的靶材料固體平...
