如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝的特點包括（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

常壓的硅外延方法有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。