常壓的硅外延方法有（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。