問答題

【簡答題】生長氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？

答案：在升溫環(huán)境里，通過外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應，可以在硅片上得到一層熱生長的氧化層；沉積的氧化層可以通過外部供給氧氣...

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【簡答題】什么是淺槽隔離（STI），它取代了什么工藝？

答案：

淺槽隔離（STI）是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。
取代了局域氧化工藝（LOCOS）

【簡答題】離子注入后進行退火工藝的原因是什么？

答案：可使裸露的硅片表面生長一層新的阻擋氧化層；高溫使得雜質(zhì)向硅中移動；可使注入引入的損傷得到修復；使雜質(zhì)原子與硅原子間的共價...