摻雜后，退火的目的是（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關(guān)？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。