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問答題

【簡答題】描述場氧化層及其厚度范圍。

答案：場氧化層：抑制金屬層的電荷堆積的厚氧化層
范圍：2500~12000 * 10^-10（A...

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【簡答題】生長氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？

答案：在升溫環(huán)境里，通過外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應(yīng)，可以在硅片上得到一層熱生長的氧化層；沉積的氧化層可以通過外部供給氧氣...

【簡答題】什么是淺槽隔離（STI），它取代了什么工藝？

答案：

淺槽隔離（STI）是在襯底制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝。
取代了局域氧化工藝（LOCOS）

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