CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時(shí)就會(huì)形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

摻雜后退火時(shí)間一般在（）。

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。