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問答題

【簡(jiǎn)答題】為什么刪氧要用熱生長？

答案：因?yàn)闁叛跖c其下的Si具有高質(zhì)量和穩(wěn)定性的特點(diǎn)，柵氧一般通過熱生長獲得。

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答案：場(chǎng)氧化層：抑制金屬層的電荷堆積的厚氧化層
范圍：2500~12000 * 10^-10（A...

【簡(jiǎn)答題】生長氧化層和淀積氧化層間的區(qū)別是什么？

答案：在升溫環(huán)境里，通過外部供給高純氧氣使之與硅襯底反應(yīng)，可以在硅片上得到一層熱生長的氧化層；沉積的氧化層可以通過外部供給氧氣...