金屬化中可選用的金屬材料有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

光刻工藝對(duì)準(zhǔn)誤差包括（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。