濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線(xiàn)焊接之后有無(wú)各種廢品。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）