硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪個選項不是集成電路工藝用化學氣體質(zhì)量的指標？（）

CMP的設備構(gòu)成包括（）。