IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪個選項(xiàng)不是集成電路工藝用化學(xué)氣體質(zhì)量的指標(biāo)？（）

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。