單項選擇題擴散的雜質(zhì)分布包括()和有限表面源分布。
A.無限表面源分布
B.雜質(zhì)總量分布
C.恒定表面源分布
D.表面源分布
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1.單項選擇題根據(jù)擴散系數(shù)的定義,其受以下哪個因素的影響最大?()
A.雜質(zhì)類型
B.擴散時間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度
2.單項選擇題擴散的微觀機制包括間隙式擴散和()。
A.面擴散
B.均勻擴散
C.梯度擴散
D.替位式擴散
3.多項選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應用?()
A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層
4.單項選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好?()
A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學氣相淀積
5.單項選擇題
直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是()。
A.引晶(下種)
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長
A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC
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最新試題
AUBM的形成可以采用()方法。
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按照芯片組裝方式的不同,關于SiP的分類,說法錯誤的是()。
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凸點的制作技術有()。
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