單項(xiàng)選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好？（）
A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學(xué)氣相淀積
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1.單項(xiàng)選擇題
直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是（）。
A.引晶（下種）
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長(zhǎng)
A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC
2.多項(xiàng)選擇題硅片制備最先進(jìn)的拋光工藝是（）。
A.化學(xué)拋光
B.機(jī)械拋光
C.化學(xué)機(jī)械拋光
D.CMP
3.多項(xiàng)選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級(jí)多晶硅的純度是（）。
A.分析純
B.化學(xué)純
C.99.9999999%
D.9個(gè)N
4.多項(xiàng)選擇題相對(duì)于其他半導(dǎo)體，硅半導(dǎo)體的重要性體現(xiàn)在（）。
A.工藝最先進(jìn)
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大
5.多項(xiàng)選擇題對(duì)第一只晶體管描述正確的是（）。
A.是1947年Bell實(shí)驗(yàn)室發(fā)明的
B.是Ge（鍺）晶體管
C.是Si（硅）晶體管
D.是1971年Intel發(fā)明的
最新試題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
通常芯片上的引出端焊盤(pán)是排列在管芯片附近的方形（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面選項(xiàng)中硅片減薄技術(shù)正確的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類(lèi)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題