單項(xiàng)選擇題根據(jù)擴(kuò)散系數(shù)的定義，其受以下哪個(gè)因素的影響最大？（）
A.雜質(zhì)類型
B.擴(kuò)散時(shí)間
C.雜質(zhì)激活能
D.溫度
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題擴(kuò)散的微觀機(jī)制包括間隙式擴(kuò)散和（）。
A.面擴(kuò)散
B.均勻擴(kuò)散
C.梯度擴(kuò)散
D.替位式擴(kuò)散
2.多項(xiàng)選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應(yīng)用？（）
A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層
3.單項(xiàng)選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好？（）
A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學(xué)氣相淀積
4.單項(xiàng)選擇題
直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是（）。
A.引晶（下種）
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長(zhǎng)
A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC
5.多項(xiàng)選擇題硅片制備最先進(jìn)的拋光工藝是（）。
A.化學(xué)拋光
B.機(jī)械拋光
C.化學(xué)機(jī)械拋光
D.CMP
最新試題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題
引線鍵合的常用技術(shù)有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列屬于BGAA形式的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題