多項(xiàng)選擇題氧化硅在集成電路制造中有哪些應(yīng)用？（）
A.屏蔽層
B.柵氧化層
C.犧牲層
D.襯墊層
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1.單項(xiàng)選擇題?下列哪種工藝所制備的氧化層質(zhì)量最好？（）
A.水汽氧化
B.干氧氧化
C.濕氧氧化
D.化學(xué)氣相淀積
2.單項(xiàng)選擇題
直拉法制備硅單晶的工藝步驟順序是（）。
A.引晶（下種）
B.放肩
C.收尾
D.收頸
E.等徑生長
A.ADBEC
B.ABCDE
C.ACBDE
D.ABDEC
3.多項(xiàng)選擇題硅片制備最先進(jìn)的拋光工藝是（）。
A.化學(xué)拋光
B.機(jī)械拋光
C.化學(xué)機(jī)械拋光
D.CMP
4.多項(xiàng)選擇題現(xiàn)代硅單晶制備所需電子級(jí)多晶硅的純度是（）。
A.分析純
B.化學(xué)純
C.99.9999999%
D.9個(gè)N
5.多項(xiàng)選擇題相對(duì)于其他半導(dǎo)體，硅半導(dǎo)體的重要性體現(xiàn)在（）。
A.工藝最先進(jìn)
B.材料性能優(yōu)良
C.工藝成本低
D.晶圓尺寸最大
最新試題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
因?yàn)镼FP封裝的可靠性高，且其封裝外形尺寸較小，寄生參數(shù)減小，故多用于高頻電路、音頻電路、微處理器、電源電路。
題型：判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
載帶自動(dòng)焊使用的凸點(diǎn)形狀一般有蘑菇凸點(diǎn)和柱凸點(diǎn)兩種。
題型：判斷題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
制造和封裝工藝過程中的材料性能是決定材料應(yīng)用的關(guān)鍵，制造性能主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時(shí)伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強(qiáng)，（）再次來到大眾視線
題型：單項(xiàng)選擇題
引線鍵合的目的是將金線鍵合在晶片、框架或基板上。
題型：判斷題