單項(xiàng)選擇題在刻蝕二氧化硅過(guò)程中假如我們?cè)贑F4的（）內(nèi)加入適量的氫氣，能夠降低刻蝕的速率。
A.氣體
B.等離子體
C.固體
D.液體
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1.單項(xiàng)選擇題在刻蝕（）過(guò)程中假如我們?cè)贑F5的等離子體內(nèi)加入適量的氧氣，能夠提高刻蝕的速率。
A.銅
B.鋁
C.金
D.二氧化硅
2.多項(xiàng)選擇題下列物質(zhì)的等離子體適合用以刻蝕鋁合金中硅的有（）。
A.CF4
B.BCl3
C.Cl2
D.F2
E.CHF3
3.單項(xiàng)選擇題為了避免（）在經(jīng)過(guò)氯化物等離子體刻蝕之后的殘留物使其發(fā)生腐蝕，必須在刻蝕完畢之后再增加一道工序來(lái)除去這些表面殘留物。
A.多晶硅
B.單晶硅
C.鋁硅銅合金
D.銅
4.單項(xiàng)選擇題銅與氯形成的化合物揮發(fā)能力不好，因而銅的刻蝕無(wú)法以化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行，而必須施以（）。
A.等離子體刻蝕
B.反應(yīng)離子刻蝕
C.濕法刻蝕
D.濺射刻蝕
5.單項(xiàng)選擇題濺鍍法，因?yàn)槠潆A梯覆蓋的能力不良，很容易造成因填縫不完全所留下的（）。
A.鳥(niǎo)嘴
B.空洞
C.裂痕
D.位錯(cuò)
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